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FQB8P10TM
- Fabricante
- ON Semiconductor
- Descripción
- MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
- Price
- $1.14
(290 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | QFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 530mOhm @ 4A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | D²PAK (TO-263AB) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 15nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 470pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 8A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |