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IPS65R950C6AKMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Descripción
- MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
- Price
- $1.11
(150 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3.5V @ 200µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 37W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO251-3 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 15.3nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 328pF @ 100V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4.5A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |