BUZ32 H
BUZ32 H-imag0

BUZ32 H

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Price
$1.07
(96 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 400mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 75W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 530pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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