IPD135N08N3GATMA1
IPD135N08N3GATMA1-imag0

IPD135N08N3GATMA1

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 80V 45A
Price
$0.98
(150 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 33µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 13.5mOhm @ 45A, 10V
Disipación de energía (máx.) 79W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 25nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1730pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 45A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
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