IPDD60R190G7XTMA1
IPDD60R190G7XTMA1-imag0

IPDD60R190G7XTMA1

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10
Price
$2.82
(484 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ G7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 10-PowerSOP Module
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 210µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 4.2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 76W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-HDSOP-10-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 718pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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