IPD034N06N3GATMA1
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IPD034N06N3GATMA1

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Price
$1.52
(503 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 93µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 167W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 130nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 11000pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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