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BSC011N03LSTATMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Descripción
- DIFFERENTIATED MOSFETS
- Price
- $2.2
(4880 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.1mOhm @ 30A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 3W (Ta), 115W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TDSON-8 FL |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 6300pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 39A (Ta), 100A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |