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IPB180N08S402ATMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Descripción
- MOSFET N-CH TO263-7
- Price
- $5.06
(146 available)
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Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 220µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 2.2mOhm @ 100A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 277W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO263-7-3 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 167nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 80V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 11550pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 180A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |