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BSB165N15NZ3GXUMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Descripción
- MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
- Price
- $3.3
(3802 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 3-WDSON |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 110µA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 16.5mOhm @ 30A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 35nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 150V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2800pF @ 75V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9A (Ta), 45A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |