TK39N60W,S1VF
TK39N60W,S1VF-imag0

TK39N60W,S1VF

Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Price
$9.9
(96 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.7V @ 1.9mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 65mOhm @ 19.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 270W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 110nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4100pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 38.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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