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TSM4NB65CI C0G
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descripción
- MOSFET N-CHANNEL 650V 4A ITO220
- Price
- $0.95
(990 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4.5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 3.37Ohm @ 2A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 70W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | ITO-220AB |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 13.46nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 549pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |