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SSM6L35FE,LM
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción
- MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
- Price
- $0.46
(7095 available)
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Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 150mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-563, SOT-666 |
| Número de pieza base | SSM6L35 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 3Ohm @ 50mA, 4V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | ES6 (1.6x1.6) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | - |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 9.5pF @ 3V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 180mA, 100mA |