BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005-imag0

BSM120D12P2C005

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Price
$348.16
(46 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado Bulk
Característica FET Silicon Carbide (SiC)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 780W
Paquete / Caso Module
Vgs(th) (Max) - Id 2.7V @ 22mA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs -
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs -
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V (1.2kV)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 14000pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Tc)
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