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APTMC120AM08CD3AG
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Descripción
- MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
- Price
- $1139.98
(15 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Empaquetado | Bulk |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 1100W |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | D-3 Module |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 10mA (Typ) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 10mOhm @ 200A, 20V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | D3 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 490nC @ 20V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 9500pF @ 1000V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 250A (Tc) |