DF11MR12W1M1B11BOMA1
DF11MR12W1M1B11BOMA1-imag0

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET MODULE 1200V 50A
Price
$127.96
(21 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie CoolSiC™+
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tray
Característica FET Silicon Carbide (SiC)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 20mW
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso Module
Vgs(th) (Max) - Id 5.5V @ 20mA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 23mOhm @ 50A, 15V
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 125nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V (1.2kV)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3950pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A
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