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IPG20N04S4L11ATMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Descripción
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Price
- $1.13
(17428 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 41W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 15µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 11.6mOhm @ 17A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TDSON-8-4 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 26nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 40V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1990pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 20A |