SSM6L09FUTE85LF
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SSM6L09FUTE85LF

Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Price
$0.56
(6162 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) - Id 1.8V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 700mOhm @ 200MA, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores US6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs -
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 20pF @ 5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 400mA, 200mA
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