DMN2014LHAB-7
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DMN2014LHAB-7

Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Price
$0.17
(3000 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 800mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1.1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 13mOhm @ 4A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores U-DFN2030-6 (Type B)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 16nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1550pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9A
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