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DMN2014LHAB-7
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Descripción
- MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
- Price
- $0.17
(3000 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 800mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.1V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 13mOhm @ 4A, 4.5V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | U-DFN2030-6 (Type B) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1550pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9A |