IRF8915TRPBF
IRF8915TRPBF-imag0

IRF8915TRPBF

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Price
$0.8
(7064 available)

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base IRF8915PBF
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7.4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 540pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.9A
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