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IRF8915TRPBF
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Descripción
- MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
- Price
- $0.8
(7064 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 2W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Número de pieza base | IRF8915PBF |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 540pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 8.9A |