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SISS06DN-T1-GE3
- Fabricante
- Vishay / Siliconix
- Descripción
- MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212
- Price
- $1.12
(50 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | +20V, -16V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® 1212-8S |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.38mOhm @ 15A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 77nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3660pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 47.6A (Ta), 172.6A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |