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SIRC10DP-T1-GE3
- Fabricante
- Vishay / Siliconix
- Descripción
- MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
- Price
- $0.86
(3990 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | +20V, -16V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | Schottky Diode (Body) |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 3.5mOhm @ 10A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 43W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SO-8 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 36nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1873pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 60A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |