SIHP050N60E-GE3
SIHP050N60E-GE3-imag0

SIHP050N60E-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET N-CH 600V
Price
$8.85
(10 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 23A, 10V
Disipación de energía (máx.) 278W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 130nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3459pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 51A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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