SIHB15N50E-GE3
SIHB15N50E-GE3-imag0

SIHB15N50E-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263
Price
$2.66
(1000 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 280mOhm @ 7.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 156W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 66nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 500V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1162pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 14.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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