SI5517DU-T1-GE3
SI5517DU-T1-GE3-imag0

SI5517DU-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Price
$1.16
(2034 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 8.3W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® ChipFET™ Dual
Número de pieza base SI5517
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® ChipFet Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 16nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 520pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A
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