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SI3429EDV-T1-GE3
- Fabricante
- Vishay / Siliconix
- Descripción
- MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
- Price
- $0.46
(30 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 21mOhm @ 4A, 4.5V |
| Disipación de energía (máx.) | 4.2W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 6-TSOP |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 118nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 4085pF @ 50V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 8A (Ta), 8A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |