SI2365EDS-T1-GE3
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SI2365EDS-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Price
$0.09
(33000 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 32mOhm @ 4A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-236
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 36nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
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