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SI2329DS-T1-GE3
- Fabricante
- Vishay / Siliconix
- Descripción
- MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
- Price
- $0.22
(6000 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | ±5V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 800mV @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 30mOhm @ 5.3A, 4.5V |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-23-3 (TO-236) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1485pF @ 4V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |