SI2319DDS-T1-GE3
SI2319DDS-T1-GE3-imag0

SI2319DDS-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET P-CHAN 40V
Price
$0.49
(2585 available)

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen III
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 75mOhm @ 2.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23-3 (TO-236)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 19nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 650pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
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