TK650A60F,S4X
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TK650A60F,S4X

Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Price
$1.28
(385 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIX
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1.16mA
Temperatura de funcionamiento 150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs 650mOhm @ 5.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 45W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220SIS
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 34nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1320pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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