TK22E10N1,S1X
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TK22E10N1,S1X

Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N CH 100V 52A TO220
Price
$1.29
(80 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 300µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V
Disipación de energía (máx.) 72W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 28nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1800pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 52A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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