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TK10A60W,S4VX
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción
- MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
- Price
- $2.8
(10 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | DTMOSIV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | Super Junction |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3.7V @ 500µA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 380mOhm @ 4.9A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 30W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220SIS |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 20nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 600V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 700pF @ 300V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9.7A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |