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SSM3J15FV,L3F
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción
- MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
- Price
- $0.03
(16000 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | π-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-723 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.7V @ 100µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
| Disipación de energía (máx.) | 150mW (Ta) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | VESM |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 9.1pF @ 3V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 100mA (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |