RN2713JE(TE85L,F)
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RN2713JE(TE85L,F)

Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Price
$0.57
(4000 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Cut Tape (CT)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-553
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Resistencia - Base (R1) 47kOhms
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores ESV
Resistencia - Base emisora (R2) -
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V
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