2SK3566(STA4,Q,M)
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Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
Price
$1.59
(14 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 40W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220SIS
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 900V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 470pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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