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CSD19531Q5A
- Fabricante
- Texas Instruments
- Descripción
- MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
- Price
- $1.77
(10373 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Texas Instruments |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3.3V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 6.4mOhm @ 16A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-VSONP (5x6) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 48nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3870pF @ 50V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 100A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |