STU9N65M2
STU9N65M2-imag0

STU9N65M2

Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Price
$1.68
(914 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de pieza base STU9N
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 60W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores IPAK (TO-251)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 315pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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