STP80N6F6
STP80N6F6-imag0

STP80N6F6

Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 60V TO-220
Price
$1.63
(652 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Número de pieza base STP80N
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.8mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 120W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 122nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7480pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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