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STD9HN65M2
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Descripción
- MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
- Price
- $1.12
(82 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | MDmesh™ M2 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±25V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Número de pieza base | STD9H |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 820mOhm @ 2.5A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 60W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | DPAK |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 325pF @ 100V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.5A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |