STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-1-imag0

STB4NK60Z-1

Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Price
$1.73
(917 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperMESH™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número de pieza base STB4N
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 70W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 26nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 510pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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