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RS1E200BNTB
- Fabricante
- ROHM Semiconductor
- Descripción
- MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
- Price
- $0.55
(557 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ROHM Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-HSOP |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 59nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3100pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 20A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |