RF4E070BNTR
RF4E070BNTR-imag0

RF4E070BNTR

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Price
$0.86
(1220 available)

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerUDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 28.6mOhm @ 7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores HUML2020L8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 410pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
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