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BSM180C12P2E202
- Fabricante
- ROHM Semiconductor
- Descripción
- BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO
- Price
- $560
(4 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ROHM Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tray |
| Vgs (máx.) | +22V, -6V |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | Module |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 35.2mA |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | - |
| Disipación de energía (máx.) | 1360W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Module |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 20000pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 204A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | - |