FQH8N100C
FQH8N100C-imag0

FQH8N100C

Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Price
$3.3
(122 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie QFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.45Ohm @ 4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 225W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 70nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3220pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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