FDI150N10
FDI150N10-imag0

FDI150N10

Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Price
$2.05
(790 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 16mOhm @ 49A, 10V
Disipación de energía (máx.) 110W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I2PAK (TO-262)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 69nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4760pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 57A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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