FDB86363-F085
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FDB86363-F085

Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Price
$3.2
(800 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 150nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 10000pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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