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FDB86363-F085
- Fabricante
- ON Semiconductor
- Descripción
- MOSFET N-CH 80V 110A TO263
- Price
- $3.2
(800 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 2.4mOhm @ 80A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 300W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | D²PAK (TO-263AB) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 150nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 80V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 10000pF @ 40V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 110A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |