FCPF190N65FL1
FCPF190N65FL1-imag0

FCPF190N65FL1

Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220
Price
$3.04
(882 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperFET® II
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 39W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220F
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 78nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3055pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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