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PSMN102-200Y,115
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Descripción
- MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
- Price
- $1.32
(115350 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Nexperia USA Inc. |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SC-100, SOT-669 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 102mOhm @ 12A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 113W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | LFPAK56, Power-SO8 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 30.7nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 200V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1568pF @ 30V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 21.5A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |