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APT19M120J
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Descripción
- MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
- Price
- $35.66
(4 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 2.5mA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 530mOhm @ 14A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 545W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | ISOTOP® |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 300nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 9670pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 19A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |