IRF630NPBF
IRF630NPBF-imag0

IRF630NPBF

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Price
$0.83
(5710 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 300mOhm @ 5.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 82W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 35nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 575pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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