IPD70R1K4P7SAUMA1
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IPD70R1K4P7SAUMA1

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Price
$0.64
(1460 available)

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 40µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 23W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 700V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 158pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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